結晶成長

坩堝及びそれを含むインゴット成長装置 // JP2016528157
本発明のインゴット成長装置は、シリコン融液が収容される石英坩堝と、前記石英坩堝が収容される黒鉛坩堝と、前記黒鉛坩堝の下部を支持する坩堝台と、前記黒鉛坩堝の方に熱を提供するためのヒータ部と、を含む、前記黒鉛坩堝は前記石英坩堝と接する内側本体と前記内側本体から所定間隔を置いて配置される外側本体で形成され、前記内側本体と外側本体との間には不活性ガスが注入されている不活性ガス層が形成されることを特徴とする。このような本発明によると、ポリシリコンを溶融する際に坩堝の内部を断熱することでヒータパワーを減少し、坩堝内壁の特定部位に劣化が集中する現象を防止して劣化による損傷を予防することで坩堝の寿命が増加する長所がある。
【選択図】図1
多結晶質シリコン断片及び多結晶質シリコンロッドの粉砕方法 // JP2016528155
多結晶質シリコン断片及び多結晶質シリコンロッドの粉砕方法
表面上に炭化タングステン粒子を有する多結晶質シリコン断片であって、炭化タングステンの質量により秤量した平均径が0.5μm以下、好ましくは0.2μm以下、又は0.8μm以上、好ましくは1.3μm以上である。炭化タングステンを含む表面を有する少なくとも一個の粉砕工具により多結晶質シリコンロッドを粉砕し、断片を形成する方法であって、工具表面の炭化タングステン含有量が95%以下であり、炭化タングステン粒子の質量により秤量した平均粒径が0.8μm以上であるか、又は工具表面の炭化タングステン含有量が80%以上であり、炭化タングステン粒子の粒径が0.5μm以下である、方法。
グラファイト基板上のiii−v族またはii−vi族化合物半導体膜 // JP2016527167
グラファイト基板上にエピタキシャル成長させた膜を有する組成物であって、前記膜が、少なくとも1つのIII−V族化合物または少なくとも1つのII−VI族化合物を含む組成物。
【選択図】図1
熱均一性を増大する特徴部を有する改良型ウェハキャリア // JP2016526303
化学気相堆積(CVD)によって1つ又は複数のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるためのシステムで使用されるウェハキャリアアセンブリは、中心軸の周りに対称に形成されたウェハキャリア本体を備えており、ウェハキャリア本体は、前記中心軸に対して垂直に位置する全体的に平坦な上面と、前記上面に対して平行である平坦な下面とを有する。少なくとも1つのウェハ保持ポケットは、前記上面からウェハキャリア本体内に窪んでいる。前記少なくとも1つのウェハ保持ポケットのそれぞれは、底面と、前記底面を取り囲んで当該ウェハ保持ポケットの周縁を画定する周壁面とを有する。少なくとも1つの熱制御特徴部は、ウェハキャリア本体内に形成されてウェハキャリア本体の内面によって画定されている内部キャビティすなわち空隙を有する。
ドープ化金属酸化物ナノ粒子及びその使用 // JP2016525998
金属酸化物と、前記姻族酸化物のクリスタル格子に含まれる金属性素子のイオンとで構成されるナノ粒子組成が開示される。また、前記ナノ粒子組成自身を調製し、かつ基材の内部又は上部に組み込まれる方法が開示される。また、前記ナノ粒子組成、及び同組成を組みこんだ基材の使用であって、特に微生物又は生物膜の荷重形成を低減するための使用が開示される。
【選択図】図26B
単結晶立方晶系三二酸化物の調製法及び用途 // JP2016525066
本発明は、+IIIの原子価を有するランタニドイオンが任意選択的にドープされた、スカンジウム、イットリウム、又は希土類金属の立方晶系三二酸化物(空間群番号206、Ia−3)の固体又は薄膜単結晶を、高温フラックス成長技術を用いて製造するための方法と、及び該方法により得られた非ドープ単結晶の、とりわけ光学分野における用途とに関する。
積層造形された部品の再生 // JP2016524537
一実施形態が、部品(10)を再生するための方法を含む。本方法は、完成品に近い形状で、0パーセントより多いが、約15パーセント未満のボイドを有するように部品(10)を積層造形することを含む。この部品(10)は、シェルモールド(22)で包み込まれる。シェルモールド(22)が硬化処理される。包み込まれた部品(10)が炉に入れられて部品(10)が溶融される。部品(10)がシェルモールド(22)内で凝固される。シェルモールド(22)が凝固した部品(10)から取り除かれる。
単結晶蛍光体を有する白色発光ダイオードとその製造方法 // JP2016524316
本発明に従って、InGaN、GaN、またはAlGaNからなる群から選択されるチップの上方に配置される単結晶蛍光体を有するダイオードでは、単結晶蛍光体(21)が、チョクラルスキー法、HEM法、バグダサロフ法、キロプロス法、またはEFG法からなる群から選択される方法で融液から成長させた、Ce3+、Ti3+、Cr3+、Eu2+、Sm2+、B3+、C、Gd3+、またはGa3+からなる群から選択される原子をドープしたLuYAGおよび/またはYAPおよび/またはGGAGをホストとして作製された単結晶インゴット(51)から作製され、このとき、Lu3+、Y3+、およびAl3+原子は、ホストにおいて、最大99.9%の量でB3+、Gd3+、またはGa3+原子と置き換えることができる。蛍光体(21)の組成および製造方法、その表面の処理および形状、ならびにダイオード全体の構造により、ダイオードのInGaNチップ(13)自体から、照らされている物体の方への変換光の取り出しが確保され、かつ、単結晶蛍光体(21)と封止材(31)の界面、または単結晶蛍光体(21)と周囲環境(44)の界面における全反射効果を制限する。
【選択図】図2
欠陥を直し微細構造を改変させるための付加製造された部品の再形成 // JP2016522750
一実施形態は、部品を再形成させるための方法を含む。本方法は、部品の少なくとも一部が完成に近い形状をした部品を付加製造することを含む。部品は、シェルモールドで覆われて、シェルモールドが硬化処理され、覆われた部品が炉に入れられて部品が溶融され、部品がシェルモールド内で凝固されて、シェルモールドが凝固した部品から取り除かれる。
非線形光学結晶の不動態化 // JP2016522136
検査器具に用いるための非線形光学結晶の不動態化は、フッ素、フッ化物イオン、及びフッ化物含有化合物のうちの少なくとも1つの存在下で非線形光学結晶を成長させることと、非線形光学結晶を機械的に調製することと、非線形光学結晶にアニーリングプロセスを実施することと、非線形光学結晶を水素含有または重水素含有不動態化ガスに曝露することとを含む。
エルパソライト型シンチレータ材料の製造 // JP2016522135
本発明は、理論組成A2BCy(この式中、AはCs、Rb、K、Naから選ばれ、BはLi、K、Naから選ばれ、Cは希土類元素、Al、Gaから選ばれ、Mはアルカリ土類元素から選ばれ、XはF、Cl、Br、Iから選ばれ、yはCをMに置き換えた原子分率であって0と0.05の間の範囲に含まれる)のエルパソライトタイプの構造を有する結晶シンチレータ材料を製造するための方法であって、rモルのAとsモルのBとを含む溶融浴から冷却することによりそれを結晶化させ、当概溶融浴を2s/r比が1より大きくなるようにAとBとを含有している材料と接触させることを含む結晶シンチレータ材料の製造方法に関する。この方法は向上した製造収率を示す。更に、製造した結晶は化学量論に近い組成を有するとともに向上したシンチレーション特性を有することができる。
単結晶ガリウム含有窒化物の製法及びその方法によって得られる単結晶ガリウム含有窒化物 // JP2016521667
第1族元素(IUPAC,1989)を含むミネラライザーを追加した超臨界アンモニア含有溶媒の環境においてガリウム含有フィードストックから単結晶ガリウム含有窒化物を得ることを目的とする方法であって、オートクレーブ中に二つの温度帯域を発生させ、ひとつはフィードストックを含む低温度の溶解ゾーンであって、もう一つはその下方の高温度の晶出ゾーンであって、晶出ゾーンは少なくともひとつのシードを含み、フィードストックの溶解工程とガリウム含有窒化物の少なくともひとつのシード上への晶出工程を行うにあたり、少なくともふたつの成分をプロセス環境に導入する、すなわちa)アンモニアに対するモル比が0.00001〜0.2の範囲の酸素ゲッターとb)アンモニアに対するモル比が0.001より高くないアクセプタドーパントであることを特徴とする方法である。また、本発明ではこの方法により得られる単結晶ガリウム含有窒化物を含む。
【選択図】 なし
材料にマーキングする方法、材料にマーキングするためのシステム、及び該方法によってマーキングされた材料 // JP2016521593
固体材料の研磨ファセットの外面上に1又はそれ以上の突出部を形成する方法であって、固体材料の研磨ファセットの外面に向けて、上面材料を突出させるように集束不活性ガスイオンビームの局所的照射を適用するステップを含み、集束不活性ガスイオンビームから照射された照射集束不活性ガスイオンが、固体材料の研磨ファセットの外面を貫通し、照射集束不活性ガスイオンは、固体材料の固体結晶格子の膨張を引き起こして固体材料の研磨ファセットの外面上に突出部を形成するような圧力で、外面の下方の固体結晶格子内に膨張歪みを生じさせる、方法。
【選択図】 図1
シリコンを基板上に形成する方法 // JP2016521244
液体シラン化合物を用いてシリコン層を形成するための方法が記載され、前記方法は、(ポリ)シランを含む第1層を、基板、好ましくは可撓性基板の上に形成するステップと、前記ポリシランを、シリコン、好ましくはアモルファスシリコンまたはポリシリコンに転換するために、第1層を200〜400nmの範囲内の1つ以上の波長を含む光で照射するステップとを含む。
薄膜ソーラーセル用の銅−インジウム−ガリウム−カルコゲナイド・ナノ粒子前駆体 // JP2016521232
【解決手段】IUPACの11族イオン、13族イオン、及び硫黄イオンを含むナノ粒子が、有機溶媒に金属塩とアルカンチオールを加え、加熱して反応を促進することで合成される。ナノ粒子は、200℃の低い温度で形成される。形状を改善しサイズ分布を狭めるために、ナノ粒子を反応温度より低い温度(通常、約40℃低い)で一定時間熱処理してよい。反応終了後に、非溶媒を添加し、トルエン、クロロホルム、及びヘキサンなどの有機溶媒に再分散させてナノ粒子を分離してナノ粒子インクを形成してよい。最終インク粘度を調整するためにこの反応液に添加物を加えてよい。
【選択図】図2
フォトニック結晶 // JP2016520853
少なくともフッ素化ポリマーを含む、2次元又は3次元のフォトニック結晶が開示される。2次元又は3次元のフォトニック結晶は、含浸オパール構造又は逆オパール構造を有する。
【選択図】 なし
イコチニブリン酸塩の新規な多形及びその使用 // JP2016520625
イコチニブリン酸塩(すなわち、式(I)の化合物)及びその多形、並びにそれらの調製及び使用の方法が開示される。


式I
【選択図】なし
耐熱衝撃性の合成宝石材料 // JP2016520503
本発明は、宝石産業用の材料、特に、天然の宝石用原石の代替を目的とした合成材料に関する。該耐熱性の合成宝石材料は、ナノサイズの酸化物とシリケート結晶相系の、透明、半透明または不透明な複合ナノ結晶材料を含む。該材料は、遷移元素金属、希土類元素金属および貴金属のイオンの含有量が0.001〜4モル%の以下の結晶相:すなわち、スピネル、石英状の相、サファーリン、頑火輝石、ペタライト状相、コーディエライト、珪酸亜鉛鉱、マグネシウムアルミノチタネート、ジルコン、ルチル、ジルコニウムチタネートおよび二酸化ジルコニウム)の内の少なくとも1つを含む。更に、該結晶相の内の1つは、バージライトまたはキータイト構造を有するリチウム−マグネシウム−亜鉛−アルミノシリケートの石英状の固溶体である。前記組成物は、以下の成分(その量はいずれもモル%)から選択される:SiO−45〜72;Al−15〜30;MgO−0.1〜23.9;ZnO−0.1〜29;LiO−1〜18;PbO−0.1〜7.0;ZrO−0.1〜10;TiO−0.1〜15;NiO−0.001〜4.0;CoO−0.001〜3.0;CuO−0.001〜4.0;Cr−0.001〜1.0;Bi−0.001〜3.0;Fe−0.001〜3.0;MnO−0.001〜3.0;CeO−0.001〜3.0;Nd−0.001〜3.0;Er−0.001〜3.0;Pr−0.001〜3.0;Au−0.001〜1.0。本発明によって、低熱膨張率と高耐熱性を有する宝石材料の製造が可能となる。この方法で得られた提案の材料は、均一な色と、主要な天然の有色鉱物の特性と同様の光学特性と、を有しており、製造可能である。この開発された材料の重要な利点は、低熱膨張率、硬度、耐薬品性、および熱衝撃に対する色安定性であり、それによって、銀または金融液に接触時にカットサンプルが割れないだけではなく、色も保持できるので、特に、研削と研磨を加速して行うことができ、また、「宝石を用いたキャスティング」方法が使用できる。
電荷キャリア移動度が非常に高いグラフェン及びその製造方法 // JP2016520032
【課題】電荷キャリア移動度が非常に高いグラフェン及びその製造方法の提供。
【解決手段】本発明は、(a)基板を準備する工程、(b)上記基板の表面上に金属層をエピタキシャル成長させる工程、(c)必要に応じて、エピタキシャル成長させた金属層上に金属を成長させることにより、工程(b)で得られた金属層の厚さを大きくする工程、(d)工程(b)又は必要に応じて実施した工程(c)で得られた金属層を上記基板から剥離する工程、及び、(e)工程(d)で剥離されるまでは上記基板と接触していた工程(d)で得られた金属層の表面の少なくとも一部にグラフェンを積層する工程を有する方法で得られるグラフェン膜に関する。このようなグラフェン膜は、電荷キャリア移動度が非常に高く、すなわち、SiO基板上で測定したその値が11000cm/Vsより大きく、少なくとも15000cm/Vs、少なくとも20000cm/Vs、少なくとも25000cm/Vs、更には少なくとも30000cm/Vsである。
【選択図】なし
半導体基板中の制御可能な酸素濃度 // JP2016519642
III−V族の化合物半導体基板中の酸素濃度を制御する方法は、複数のIII−V族の結晶基板を容器の中に供給する段階と、所定量の材料を該容器の中に供給する段階とを備える。所定量の材料の原子は、酸素原子との高化学反応性を有する。方法は、容器内を所定の圧力に保持する段階と、結晶基板中に酸素濃度をもたらす目的で、複数のIII−V族の結晶基板をアニールする段階とを更に備える。酸素濃度は、所定量の材料と関連している。
化学蒸着システムにおける加熱均一性を向上させるための装備を備えたウェハキャリア // JP2016519426
化学蒸着によって1つ以上のウェハ上にエピタキシャル層を成長させるためのシステムにおいて使用されるウェハキャリアおよびその製造方法。ウェハキャリアは、その本体内に凹んでいる複数のウェハ保持ポケットを備える。少なくとも1つのウェハ保持ポケット内には断熱スペーサが少なくとも部分的に配置されて周壁面とウェハとの間の間隔を維持しており、スペーサは、ウェハキャリアの熱伝導率よりも低い熱伝導率の材料で構成されることによりウェハキャリア本体の部分からウェハへの熱伝導を制限する。ウェハキャリアは、スペーサに係合するスペーサ保持フィーチャをさらに備えており、中心軸の周りを回転させられたときにスペーサの遠心運動を防止するように配向された面を有する。
電池複合材料及びその前駆体の製造方法 // JP2016519407
電池複合材料の製造方法が、リン酸と、第1金属源と、第2金属源と、水を供給する工程と、前記第1金属源と、前記第2金属源と、前記リン酸と、前記水を反応させ第1生成物を生成する工程と、前記第1生成物を焼成し第1前駆体又は第2前駆体を生成する工程と、前記第1前駆体又は前記第2前駆体と、少なくとも第1反応物を反応させて生成した反応混合物を焼成し前記電池複合材料を生成する工程とを含み、前記第1前駆体及び前記第2前駆体のそれぞれが第1金属及び第2金属を含有する固溶体である。結果として、電池は二つの安定充放電のプラットフォームを有し、安定性や電気的性能を向上させることの優位性が達成される。
熱水製造を介した合成亜鉛金雲母 // JP2016519035
本発明は、優れたアスペクト比を有する、合成によって得られた亜鉛金雲母小板、この合成によって得られた小板を含む効果顔料、および、前記基材を形成する方法に関する。より詳細には、本開示は、干渉顔料、障壁、および、難燃材の用途のための基材として適した亜鉛金雲母の改良された熱水合成を記載している。
亜鉛金雲母の熱水合成 // JP2016518299
本発明は、優れた小板直径を有する、合成によって得られた亜鉛金雲母小板、合成によって得られたこのような小板を含む効果顔料、および前記基材を形成する方法に関する。より詳細には、本開示は、干渉顔料、障壁および難燃材の用途のための小板として適した亜鉛金雲母の改良された熱水合成について記載している。
サファイアシート、ならびに傾斜熱シールドを用いてサファイアシート製造するための装置および方法 // JP2016516659
本開示は、ダイチップの側面に対して傾斜した熱シールドを含む縁端限定成長(EFG)によってサファイアシートを成長させるための装置及び方法に関する。さらに、本開示は、ある特定の最大低スポットの厚さなどの特徴を有する、サファイアシートおよびサファイアシートバッチに関する。
【選択図】 図1
サファイアリボン、ならびに改善された寸法安定性を有する複数のサファイアリボンを製造する装置および方法 // JP2016516658
本開示は、縁端限定成長(Edge−Defined Film−Fed Growth)(EFG)によりサファイアリボンを作製するための装置および方法に関する。さらに、本開示は、バッチで同時に成長させたサファイアリボンの間で寸法ばらつきが少ないことやボイド形成が無いことなどの特徴を有する、複数の同時成長させたサファイアリボンに関する。
【選択図】 図1
アモルファス半導体量子ドットの金属誘起ナノ結晶化 // JP2016516286
真空凝集チャンバ内にアモルファス半導体粒子を形成する工程と、前記真空凝集チャンバ内に形成された前記アモルファス半導体粒子を、内部に基板が設置された真空堆積チャンバに移動させる工程と、前記真空凝集チャンバ内の前記基板に移動中の前記アモルファス半導体粒子に金属触媒の蒸気を供給し、移動中に前記金属触媒により前記アモルファス半導体粒子の少なくとも一部の結晶化を誘起し、これにより前記金属触媒の付着した結晶化半導体粒子を前記基板に堆積させる工程と、を有する結晶化半導体粒子の製造方法。
無欠陥単結晶薄層 // JP2016515991
窒化ガリウム膜は無転位単結晶とすることができ、これは、基板の表面を照射すること、及び該表面を、転位で選択的にエッチング可能なエッチング液と接触させることによって製造することができる。
【選択図】 図2
単結晶鋳造用の型 // JP2016515945
本発明は、単結晶鋳造、特に、単結晶鋳造のための型に関するものであり、該型が少なくとも、成形キャビティ7と、スタータ・キャビティ10と、セレクタ・チャネル9とを含み、該スタータ・キャビティ10が少なくとも第1容積部10aと、区別可能な第2容積部10bとを有しており、該第1容積部10aが逆さまの漏斗の形状を成しており、該第2容積部10bが、該第1容積部の底部に柱脚を形成していて、少なくとも1つの水平方向で前記第1容積部に対して知覚可能に突出しており、該セレクタ・チャネル9が前記スタータ・キャビティ10を前記成形キャビティ7に接続しており、該型がさらに支持ロッド20を含み、該支持ロッドは前記セレクタ・チャネルに対して横方向にオフセットされており、そして該スタータ・キャビティ10の第2容積部10bを該成形キャビティ7に結合している。また、本発明は、上記の型を用いた鋳造法を提供する。
【選択図】図3
方向性凝固システムおよび方法 // JP2016513616
本発明は、急速な方向性凝固を用いて材料を精製するための機器および方法に関する。示した装置および方法は、方向性凝固の際の温度勾配および冷却速度に対する制御を提供し、これにより結果として、より高純度の材料が得られる。本発明の機器および方法は、太陽電池などのソーラー用途での使用のためのシリコン材料を作製するために使用することができる。
再結晶化を抑制するコーナー半径を有する鋳造部品 // JP2016512470
鋳造部品は、単結晶微細構造と内部空洞を画定する内部コーナー部とを有する鋳造品本体を含む。単結晶微細構造は耐熱金属コアを用いた鋳造品本体の焼流し精密鋳造に関する臨界内部残留応力を規定し、臨界内部残留応力は、それを超えると前記単結晶微小構造体が所定条件下で再結晶化するものである。内部コーナー部は臨界コーナー半径よりも大きいコーナー半径を規定し、臨界コーナー半径は、それ以下であると単結晶微小構造体における内部残留応力の量が臨界内部残留応力を超えるものである。内部空洞は、コーナー半径付近で約20ミリよりも小さい断面を含む。
光電子デバイスを形成する技術 // JP2016511934

実施形態は、バルク基板からの材料の薄膜を形成するための粒子加速器のビームの使用に関する。ある実施形態では、上面を有するバルク基板(例えばドナー基板)は、加速された粒子ビームにさらされる。ある実施形態では、このバルク基板は、GaNを含んでもよい。他の実施形態では、このバルク基板は、Si、SiCの、または他の材料を含んでもよい。その後、材料の薄膜又はウェハは、ビームから注入された粒子によって形成された劈開領域に沿って、制御された劈開プロセスを実行することにより、バルク基板から分離される。ある実施形態では、この分離された材料は、光電子デバイスに、直接組み込まれており、例えば、GaNバルク材料から劈開されたGaN膜である。ある実施形態では、この分離された材料は、光電子デバイスのために有用である半導体材料(例えばGaN)のさらなる成長のためのテンプレートとして採用することができる。
シリコン精製のためのカバーフラックスおよび方法 // JP2016511734
カバーフラックスの装置および方法が示される。方法および装置において、凝固フロントが鋳型の冷却面から冷却面と実質的に反対にある溶融シリコンの表面へ向かって移動するにつれて、不純物が固体シリコンから液体中へと押し出され、該シリコン上のフラックス層と反応することが示される。
半径方向の拡張により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 // JP2016511532
歪が低減されたヘテロ構造を準備する装置およびプロセスが開示される。ヘテロ構造は、比較的低欠陥のヘテロ構造を形成するために、その構造とは異なる結晶格子定数を有する表面層に適合した半導体構造を含む。
高い比吸収率(sar)を伴う磁性ナノ粒子、複合体、懸濁液、および、コロイド // JP2016511531
酸化鉄ナノ粒子と、有機分子がそれらの構造に包埋されたナノ複合体とは、例外的に高いSAR値を有しており、生物学的使用、医学的使用(例えば、薬物送達、ハイパーサーミア等)、および、他の使用のために提供される。温熱療法と呼ばれることもある磁気ハイパーサーミアは、磁性ナノ粒子が、好適な周波数および振幅の交流磁場にかけられたときに熱を生じさせるという原理に基づいて作用し、効果をもたらす。この効果は、例えば、該ナノ粒子が腫瘍に注入された場合に腫瘍の内側の温度を治療的レベルに上昇させ得るものである。
イオン注入を通じたサファイア特性変更 // JP2016511214
本明細書においては、サファイア部品を強化するためのシステム及び方法が説明される。1つの方法は、サファイア部材の第1の表面をイオン注入デバイスに対して配向させる工程と、イオン注入濃度を選択する工程と、イオンをサファイア部材の第1の表面に向けて誘導する工程と、の形態をとってもよい。イオンは第1の表面の下に埋め込まれ、サファイア表面内に圧縮応力を生み出す。
ヒスタミンh4受容体のベンゾイミダゾール−2−イルピリミジンモジュレータ // JP2016510752
ベンゾイミダゾール−2−イルピリミジン、その精製方法、並びにアレルギー、喘息、自己免疫性疾患、及びそう痒症を含む、H4受容体活性によって介在された疾病状態、疾患、及び医学的状態の処置のための医薬組成物及び方法。
シリコン単結晶ウェハ、その製造方法及び欠陥検出方法 // JP2016510503
シリコン単結晶ウェハは、Cuに基づく欠陥が検出されないIDP領域を含み、IDP領域は、Niに基づく欠陥が検出されるNiG領域と欠陥が検出されないNIDP領域に区分される。
【選択図】図11
カーボンナノ構造を生成する方法および装置 // JP2016510300
以下のことが提案されている:触媒および600〜1200℃の温度を用いて、反応チャンバ中で、ガス状炭化水素の分解によって、カーボンナノ構造を生成する方法ならびにこの方法を実施するための装置。
バッファ薄層を伴うiii−v族基板材料及び製造方法 // JP2016510296
基板は上面を有するIII−V族材料と、約1.3μm以下の厚さを有し且つ基板の上面の上に重なるバッファ層とを含んでなる。複数の光電子デバイスは、基板上に形成され、また約400〜約550nmの範囲内の波長で約0.0641nm/cm以下の正規化発光波長標準偏差を有する。
厚膜結晶層の製造方法 // JP2016509364
厚膜結晶層を製造する方法は、シード層3を区画する脆弱化面を形成するように、少なくとも表面にSixGe1-x結晶層10を有する基板にイオン種を注入する工程(a)と、SiyGe1-y非晶質層5をシード層の上に堆積する工程(b)と、一方がシード層3及びSiyGe1-y非晶質層5を含む分離構造体8となり、他方が基板の残部4となるように、分離処理する工程(c)と、厚さが10μm以上で、残部4に固定されていない厚膜結晶層が得られるように、分離構造体8を熱処理する工程(d)とを備えている。また、本発明はシード層と、注入されたイオンを含む応力領域を有するシリコン非晶質層とを備えたシリコン結晶基板を有する構造体に関する。
【選択図】図3
合成ダイヤモンド光学素子 // JP2016509265
光学素子であって、合成ダイヤモンド材料と、合成ダイヤモンド材料の少なくとも1つの表面内に直接形成されたゾーンプレート、フレネルレンズ、又は非球面レンズの形態をした扁平化レンズ表面構造体とを有し、合成ダイヤモンド材料は、室温で測定して10.6μmの波長で0.5cm-1以下の吸収係数を有し、合成ダイヤモンド材料は、次の特性のうちの一方又は両方を満たすレーザ誘導損傷しきい値を有し、これら特性は、レーザ誘導損傷しきい値が、パルス持続時間を100ns、パルス繰り返し周波数を1〜10Hzの範囲として波長10.6μmのパルスレーザを用いて測定して少なくとも30Jcm2であるという特性及びレーザ誘導損傷しきい値が、波長10.6μmの連続波レーザを用いて測定して少なくとも1MW/cm2であるという特性であることを特徴とする光学素子。
【選択図】図2
改質サファイアを含有してなる携帯用電子機器 // JP2016509246
カバープレートを含有してなる電子機器が開示される。該カバープレートは、サファイアの誘電率より高い誘電率を有する改質サファイアの少なくとも1つの層を含有してなる。
シリコンウェハのための印刷可能な拡散障壁 // JP2016509088
本発明は、印刷可能な高粘性酸化物媒体の新規な調製方法、および太陽電池の製造におけるそれらの使用に関する。
低転位密度を有するsic結晶 // JP2016508948
SiC結晶を形成する方法であって、当該方法は、SiCの種を成長容器内に配置する工程と、成長容器を加熱する工程と、成長容器を真空排気する工程と、を含み、上記種は、温度及び圧力勾配、並びに種の成長面からと、種の縁部周辺と、種の背後空間へと流れるガス流の結果として浮揚され、前記ガス流は真空システムによってポンプ輸送される。
チョクラルスキー・ゾーンメルト法を用いたソーラーグレードシリコン単結晶の製造方法 // JP2016508479
本発明は、ゾーンメルト段階の等径成長工程において、ゾーンメルトシリコン単結晶炉の電気制御系統による制御の下で、下方回転モータを正方向、逆方向に交互に回転させて、前記下方回転モータによって所定の正方向角度と逆方向角度でシリコン単結晶を回転させるチョクラルスキー・ゾーンメルト法を用いたソーラーグレードシリコン単結晶の製造方法を提供する。本発明は、ソーラーグレードシリコン単結晶の径方向における均一性を高め、ソーラーグレードシリコン単結晶の中心部が黒化する課題を解決し、当該ソーラーグレードシリコン単結晶から得られる太陽電池の変換効率を高めることができる。
【選択図】図1
半径方向の圧縮により歪が低減されたヘテロ構造を準備するプロセスおよび装置 // JP2016507895
歪が低減されたヘテロ構造を準備する装置およびプロセスが開示される。ヘテロ構造は、その構造とは異なる結晶格子定数を有する表面層に一致する半導体構造を含み、比較的低欠陥のヘテロ構造を形成する。
昇華(PVT)により成長させたSiC結晶での転位を減少させる方法 // JP2016507462
断熱グラファイト容器内にSiC種結晶を配置する工程、断熱グラファイト容器内にSi原子源及びC原子源を配置する(Si原子源及びC原子源はSiC結晶を成長させるため種結晶へ輸送される)工程、容器を炉内に配置する工程、炉を約2,000℃〜約2,500℃の温度に加熱する工程、炉を約0.013kPa〜約13kPa(約0.1torr〜約100torr)の圧力に排気する工程、不活性ガスで炉を充填する工程、及び複数の重層を形成するよう調整された流量で炉内にドーパントガスを導入する(各層はすぐ下の層及びすぐ上の層と異なるドーパント濃度を有する)工程を含むSiC結晶の形成方法。この方法で生産された4H−SiC結晶。この方法から生産されたSiC結晶から切断された4H−SiC基板。
半導体デバイス用基板 // JP2016507450
複合半導体部品の作製方法であって、(i)厚さtdの合成ダイヤモンド材料のウェーハを有する弓形に曲げられた基板を用意するステップを含み、弓形に曲げられた基板は、量Bだけ弓形に曲げられていて凸状フェース及び凹状フェースを有し、(ii)化合物半導体材料の層を化学気相成長法により成長温度Tで弓形に曲げられた基板の凸状フェース上に成長させて弓形に曲げられた基板の凸状フェース上に厚さtscの化合物半導体材料の層を有する弓形に曲げられた複合半導体部品を形成するステップを含み、化合物半導体材料は、成長温度Tと室温との間で合成ダイヤモンド材料よりも高い平均熱膨張率を有し、それにより熱膨張率の不一致ΔTecをもたらし、(iii)弓形に曲げられた複合半導体部品を冷却するステップを含み、化合物半導体材料の層は、熱膨張率の不一致ΔTecに起因して冷却中、合成ダイヤモンド材料のウェーハ以上に収縮し、上記において、B、td、tsc、及びΔTecは、化合物半導体材料の層が冷却時に、弓形に曲げられた基板の弓形曲がり度を相殺する量だけ収縮するよう選択され、かくして、弓形に曲げられた複合半導体部品が平べったい形態にされ、化合物半導体材料の層は、冷却後、500MPa未満の引張応力を有することを特徴とする方法。
【選択図】図1
SiC結晶及び低転位密度結晶から切断したウェハ // JP2016506902
断熱した黒鉛製容器内にSiCの種結晶を配置する工程と、種結晶をシェルフ上に支持する工程であって、クッションリングが種結晶の上下面の周縁で種結晶と接触し、黒鉛製容器が種結晶の側面と接触しない、工程と、Si及びC原子源を断熱した黒鉛製容器内に配置する工程であって、Si及びC原子源がSiC結晶を成長させるために種結晶へ輸送するためのものである、工程と、黒鉛製容器を炉内に配置する工程と、炉を加熱する工程と、炉を真空排気する工程と、炉に不活性ガスを充満する工程と、結晶成長を支持しそれによってSiC結晶を形成するように炉を維持する工程と、を含む、SiC結晶を形成する工程。
 
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