タッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置

 

本発明の実施例にタッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置を開示する。該タッチ画素駆動回路は、画素電極(3)と、透過共用電極(1)と、反射共用電極(2)と、ゲートライン(G1)と、リセット信号ライン(G2)と、リセットコントロールライン(G3)と、読取コントロールライン(G4)と、両用データライン(G5)と、その第1の端が前記画素電極(3)に接続され、その第2の端が前記両用データライン(G5)に接続され、そのコントロール端が前記ゲートライン(G1)に接続された第1のスイッチングトランジスタ(M1)と、その第1の端が前記反射共用電極(2)に接続され、その第2の端が前記リセット信号ライン(G2)に接続され、そのコントロール端が前記リセットコントロールライン(G3)に接続された第2のスイッチングトランジスタ(M2)と、その第1の端が前記リセット信号ライン(G2)に接続され、そのコントロール端が前記反射共用電極(2)に接続された増幅トランジスタ(T)と、その第1の端が前記増幅トランジスタ(T)の第2の端に接続され、その第2の端が前記両用データライン(G5)に接続され、そのコントロール端が前記読取コントロールライン(G4)に接続された第3のスイッチングトランジスタ(M3)と、を備える。

 

 

本発明の実施例はタッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置に関する。
タッチ表示技術の発展につれて、インセル型タッチ(InCelltouch)技術はますます幅広く応用されている。インセル型タッチ技術によれば、スクリーンをより軽薄に設計でき、タッチ素子を表示パネル内に統合することによってパネルそのものにタッチ機能を付与でき、タッチパネルと表示パネルとを貼り合わせて組み付ける必要がなくなった。しかし、従来のインセル型タッチ技術では、表示パネル内に、例えば駆動電極や誘導電極のようなタッチ素子を別途に配置する必要があって、製造工程が増えてしまい、コストが高くなった。
本発明の実施例に、駆動電極や誘導電極を別途に配置する必要がなく、製造工程を簡単化して、コストを低減することができるタッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置が提供される。
本発明の1つの態様は、半透過半反射表示装置に用いられるタッチ画素駆動回路であって、画素電極、透過共用電極、反射共用電極、ゲートライン、リセット信号ライン、リセットコントロールライン、読取コントロールライン、及び両用データラインと、その第1の端が前記画素電極に接続され、その第2の端が前記両用データラインに接続され、そのコントロール端が前記ゲートラインに接続された第1のスイッチングトランジスタと、その第1の端が前記反射共用電極に接続され、その第2の端が前記リセット信号ラインに接続され、そのコントロール端が前記リセットコントロールラインに接続された第2のスイッチングトランジスタと、その第1の端が前記リセット信号ラインに接続され、そのコントロール端が前記反射共用電極に接続された増幅トランジスタと、その第1の端が前記増幅トランジスタの第2の端に接続され、その第2の端が前記両用データラインに接続され、そのコントロール端が前記読取コントロールラインに接続された第3のスイッチングトランジスタと、その両端が前記反射共用電極及びリセット信号ラインにそれぞれ接続された結合コンデンサとを備え、前記増幅トランジスタはP型トランジスタであるタッチ画素駆動回路を提供する。
該タッチ画素駆動回路において、例えば、前記第1のスイッチングトランジスタ、第2のスイッチングトランジスタ、増幅トランジスタ及び第3のスイッチングトランジスタは、低温ポリシリコン技術によって製造される。
該タッチ画素駆動回路において、例えば、前記画素電極は、前記透過共用電極及び反射共用電極と絶縁して相互に重なっている。
本発明のもう1つの方面は、半透過半反射表示装置に用いられるアレイ基板であって、マトリックス状に配列された複数の画素ユニットを備え、各前記画素ユニットは画素電極と、前記画素電極の下方に配置された透過共用電極及び反射共用電極を備え、前記複数の画素ユニットは表示画素ユニットと、タッチ画素ユニットとを備え、各前記タッチ画素ユニットは上述したタッチ画素駆動回路を備えるアレイ基板を提供する。
該アレイ基板において、例えば、前記タッチ画素は青色画素である。
該アレイ基板において、例えば、前記アレイ基板に第1の絶縁層が配置され、前記反射共用電極は前記第1の絶縁層に配置され、前記反射共用電極に第2の絶縁層が配置され、前記第2の絶縁層に前記透過共用電極が配置され、前記透過共用電極に第3の絶縁層が配置され、前記第3の絶縁層に前記画素電極が配置される。
本発明のもう1つの態様は、上述したアレイ基板を備える液晶表示装置を提供する。
本発明の更にもう1つの態様は、上述したタッチ画素駆動回路に用いられるタッチ画素駆動方法であって、ゲートラインでオン信号を提供して第1のスイッチングトランジスタをオンにさせ、両用データラインで第1のスイッチングトランジスタによってデータ信号を画素電極に提供し、リセットコントロールラインでオン信号を提供して第2のスイッチングトランジスタをオンにさせ、リセット信号ラインで第2のスイッチングトランジスタによって共用電極電圧を反射共用電極に提供し、読取コントロールラインでオフ信号を提供して第3のスイッチングトランジスタをオフにさせる第1の段階と、ゲートラインでオフ信号を提供して第1のスイッチングトランジスタをオフにさせ、リセットコントロールラインでオフ信号を提供して第2のスイッチングトランジスタをオフにさせ、読取コントロールラインでオン信号を提供して第3のスイッチングトランジスタをオンにさせ、反射共用電極で指によるタッチが検知されたときに、反射共用電極の電圧が低下して増幅トランジスタをオンにさせ、前記リセット信号ラインから提供された共用電極電圧を増幅トランジスタでタッチ信号に拡大し、第3のスイッチングトランジスタによって両用データラインに提供する第2の段階とを備えるタッチ画素駆動方法を提供する。
以下、本発明の実施例の技術案をさらに明確に説明するため、実施例の図面を簡単に説明する。明らかなように、以下の図面は本発明の一部の実施例に関するものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
本発明の実施例におけるタッチ画素構造の概略図である。 図1におけるタッチ画素が画素電極を備える場合の構造の概略図である。 図2におけるタッチ画素構造のA−A’の断面の概略図である。 図1におけるタッチ画素駆動回路の概略図である。 図4におけるタッチ画素駆動回路の1つのフレーム時間内のタイミング図である。
以下、本発明実施例の目的、技術案及びメリットをさらに明確にするように、図面を参照しながら、本発明実施例の技術案を明確かつ完全に説明する。下記の実施例は、当然ながら、本発明実施例の一部であり、全ての実施例ではない。本発明実施例に基づき、当業者が創造性のある労働をする必要がない前提で得られる全ての他の実施例は、いずれも本発明の保護範囲に入る。
別途に定義しない限り、ここで使われる技術用語又は科学用語の意味は、本発明の分野で一般的技能を持っている人に理解される通常の意味である。本発明特許出願の明細書及び特許請求の範囲に記載の「第1」、「第2」及びそれに類似する言葉は順番、数量又は重要性を表すものではなく、異なる構成部分を区分しているだけである。同様に、「1つ」又は「1」などの類似する言葉も数量に対する制限ではなく、少なくとも1つが存在することを表すものである。「備える」又は「含む」及びそれに類似する言葉の意味は、「備えられる」又は「含まれる」の後ろに記載された素子又は部材が「備える」又は「含む」の前に挙げられた素子又は部材及びそれに同等するものを含める意味であり、その他の素子又は部材は排除されていない。「接続」又は「連結」及びそれに類似する言葉は、物理的又は機械的な接続に限定されるわけではなく、直接か間接かにもかかわらず、電気的な接続であってもよい。「上」、「下」、「左」、「右」などは相対的な位置関係を表す用語に過ぎず、説明対象の絶対位置が変化すると、相対的な位置関係も対応して変化する。
ADS(Advanced Super Dimension Switch)技術は、同一平面内におけるスリット電極の縁部に生じる電界と、スリット電極と板状電極との間に生じる電界とによって多次元電界を形成し、液晶分子を回転可能にさせることにより、液晶の作動効率を向上させ、透過効果を向上する。半透過半反射表示技術は、各画素を反射領域と透過領域とに分けることにより、バックライトからの光を利用できるとともに、外界からの光を反射して表示することもできる。従って、光が弱い状態、光がない状態、外界の光が強い状態のいずれでもよい表示効果が得られる。
本発明の実施例はADS技術及び半透過半反射表示技術に基づき、新たなタッチ画素駆動回路、方法、アレイ基板及び液晶表示装置を提供する。
図1及び図4に示すように、本発明の実施例において、半透過半反射表示装置に用いられるタッチ画素駆動回路を提供する。タッチ画素駆動回路は、画素電極3(図1に示されていない)と、透過共用電極1と、反射共用電極2と、ゲートラインG1と、リセット信号ラインG2と、リセットコントロールラインG3と、読取コントロールラインG4と、両用データラインG5と、その第1の端が画素電極に接続され、その第2の端が両用データラインG5に接続され、そのコントロール端がゲートラインG1に接続された第1のスイッチングトランジスタM1と、その第1の端が反射共用電極2に接続され、その第2の端がリセット信号ラインG2に接続され、そのコントロール端がリセットコントロールラインG3に接続された第2のスイッチングトランジスタM2と、その第1の端がリセット信号ラインG2に接続され、そのコントロール端が反射共用電極2に接続された増幅トランジスタTと、その第1の端が増幅トランジスタTの第2の端に接続され、その第2の端が両用データラインG5に接続され、そのコントロール端が読取コントロールラインG4に接続された第3のスイッチングトランジスタM3と、その両端がそれぞれ反射共用電極2及びリセット信号ラインG2に接続された結合コンデンサC0とを備える。ここで、増幅トランジスタTはP型トランジスタである。
例えば、図2及び図3に示すように、画素電極3はスリット電極であり、各画素において、透過共用電極1は透過領域の透明板状電極であり、透過共用電極1をインジウムスズ酸化物(Indium Tin Oxides,ITO)によって製造することができ、反射共用電極2は反射領域の反射板状電極であり、反射共用電極2を金属によって製造することができる。増幅トランジスタTは他のスイッチングトランジスタの製造工程と同じであってもよいが、スイッチングトランジスタのチャンネルの幅と長さの比の差異に応じて、増幅トランジスタTに増幅の役割を果たせる。反射共用電極2は共用電極として利用されると共に、タッチ時の検知電極としても利用される。
以下はタッチ画素駆動回路に用いられるタッチ画素駆動方法により、タッチ画素駆動回路を更に説明する。図5に示すように、各タッチ画素の1つのフレームの駆動過程は下記第1の段階T1及び第2の段階T2を備えることができる。
第1の段階T1において、ゲートラインG1でオン信号を提供して第1のスイッチングトランジスタM1をオンにさせ、両用データラインG5で第1のスイッチングトランジスタM1によってデータ信号を画素電極3に提供し、リセットコントロールラインG3でオン信号を提供して第2のスイッチングトランジスタM2をオンにさせ、リセット信号ラインG2で第2のスイッチングトランジスタM2によって共用電極電圧を反射共用電極2に提供し、読取コントロールラインG4でオフ信号を提供して第3のスイッチングトランジスタM3をオフにさせ、透過共用電極1及び反射共用電極2は共用電極電圧であるので、透過共用電極1及び反射共用電極2と画素電極3との間に、液晶の偏向を制御して正常の表示を実現するための蓄積容量Cstが形成される。
第2の段階T2において、ゲートラインG1でオフ信号を提供して第1のスイッチングトランジスタM1をオフにさせ、リセットコントロールラインG3でオフ信号を提供して第2のスイッチングトランジスタM2をオフにさせ、読取コントロールラインG4でオン信号を提供して第3のスイッチングトランジスタM3をオンにさせ、増幅トランジスタTはP型トランジスタであり、低電圧でオンされるので、反射共用電極2で指によるタッチが検知されたときに、反射共用電極2の電圧は低下して増幅トランジスタTをオンにさせ、リセット信号ラインG2から提供された共用電極電圧を増幅トランジスタTによってタッチ信号に拡大し、第3のスイッチングトランジスタM3によって両用データラインG5に提供する。
第2の段階T2において、第1のスイッチングトランジスタM1がオフになって、画素電極3の電圧が保存されるので、タッチの操作がない場合、画素電極3と透過共用電極1及び反射共用電極2との間は、蓄積容量Cstによって液晶の状態が維持され、これによって正常の表示が確保される。このとき、反射共用電極2は共用電極の電圧の提供に用いられる。タッチの操作がある場合、指でスクリーンの表面をタッチし、指と反射共用電極2との間に誘導容量が形成され、反射共用電極2の電圧が低下するため,反射共用電極2は検知電極として使用され、両用データラインG5は第2の段階T2で読取データラインとして使用される。どの列の両用データラインG5でタッチ信号が読取されたかにより、タッチの位置のX軸座標を判断でき、どの行の読取コントロールラインG4でオン信号が提供されたかにより、タッチの位置のY軸座標を判断でき、これによってタッチの位置を確定する。両用データラインG5の端末にアナログ・デジタル(Analog−to−Digital,A/D)コンバーターを更に配置することもでき、A/Dコンバーターによってタッチ信号の変化を更に判断し、その位置における指によるタッチの有無を確定する。タッチ画素の1つのフレームの駆動時間が終わった後、次の1つのフレームに入って第1の段階T1及び第2の段階T2を繰り返す。
なお、第1のスイッチングトランジスタM1、第2のスイッチングトランジスタM2及び第3のスイッチングトランジスタM3はN型トランジスタ或いはP型トランジスタであってよい。N型トランジスタである場合、オン信号は高レベルであり、オフ信号は低レベルである。P型トランジスタである場合、オン信号は低レベルであり、オフ信号は高レベルである。第1のスイッチングトランジスタM1、第2のスイッチングトランジスタM2、増幅トランジスタT及び第3のスイッチングトランジスタM3は何れも薄膜トランジスタ(TFT)であってよく、その制御端はゲート電極であり、P型トランジスタの第1の端はソース電極であり、第2の端はドレイン電極であり、N型トランジスタの第1の端はドレイン電極であり、第2の端はソース電極である。
本発明の実施例に提供されるタッチ画素駆動回路及びその方法は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
1つの実施例において、第1のスイッチングトランジスタM1、第2のスイッチングトランジスタM2、増幅トランジスタT及び第3のスイッチングトランジスタM3が低温ポリシリコン技術によって製造され、トランジスタの移動度が高くなるため、トランジスタをより小さく製造でき、開口率も向上されると共に、増幅トランジスタTに高い降伏電圧を有させることができる。
本発明の実施例に提供されるタッチ画素駆動回路は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
本発明の実施例に、半透過半反射表示装置に用いられるアレイ基板が提供され、アレイ基板はマトリックス状に配列された複数の画素ユニットを備え、これらの画素電圧は例えば相互に交差するゲートラインG1と両用データラインG5とによって限定される。図3の断面図に示すように、各画素ユニットは画素電極3と、画素電極3の下方に配置された透過共用電極1及び反射共用電極2とを備える。複数の画素ユニットは、正常の表示に用いられる表示画素ユニットと、タッチの機能を実現するためのタッチ画素ユニットとを備え、即ち、いずれの画素ユニットにもタッチの機能を有させる必要がない。各タッチ画素ユニットはタッチ画素駆動回路を備える。
本発明の実施例に提供されるアレイ基板は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
例えば、画素ユニットを赤色画素Rと、緑色画素Gと、青色画素Bとに分けることができ、タッチ画素ユニットは青色画素Bであってよい。良い視角効果を達成するために、異なる色の画素の寸法は異なってもよく、青色画素Bの可視面積は通常緑色画素G及び赤色画素Rの可視面積よりも小さいので、青色画素Bに別途にタッチ素子を配置しても開口率が低下されない。
例えば、図3の断面図に示すように、アレイ基板の一例として、基板10と、基板10に配置された第1の絶縁層(ゲート電極絶縁層)11と、第1の絶縁層11に配置された反射共用電極2と、反射共用電極2に配置された第2の絶縁層(パッシベーション層)13と、第2の絶縁層13に配置された透過共用電極1と、透過共用電極1に配置された第3の絶縁層15と、第3の絶縁層15に配置された画素電極3と、を備え、画素電極3の上方に、例えばアレイ基板上における液晶層の厚さを調節するための第4の絶縁層17が更に配置される。反射共用電極2の上方に、反射領域及び透過領域の光線が人の目に入るときの偏光方向が一致することを確保するための1/4波長板4を更に配置することができる。ガラスまたはプラスチックなどによって基板10を製造することができる。画素電極3は薄膜トランジスタM1のソース電極及びドレイン電極のうちの一方に接続される。
なお、タッチ画素ユニットの数量及び位置は、具体的に要求されるタッチの解像度に応じて設置することができ、本実施例においてタッチ画素駆動回路の構造及び作動原理は上記実施例と同じであるため、ここで贅言しない。
本発明の実施例に提供されるアレイ基板は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
本発明の実施例に液晶表示装置が提供され、液晶表示装置は、対向基板と、アレイ基板とを備える。対向基板は例えばカラーフィルタ基板である。
本実施例におけるアレイ基板の構造及び作動原理は上記実施例と同じであるため、ここで贅言しない。
本発明の実施例に提供される液晶表示装置は、タッチ操作がされるときに、反射共用電極を検知電極として増幅トランジスタをオンにさせ、タッチ信号を提供し、半透過半反射構造とインセル型タッチ技術とを特定の方式で結合させるため、駆動電極及び誘導電極を別途に配置せずにタッチの機能を実現でき、製造工程を簡単化し、コストを低減した。
以上は本発明の例示的な実施例のみであり、本発明の保護範囲を制限するものではない。本発明の保護範囲は請求項により確定される。
1 透過共用電極
2 反射鏡用電極
3 画素電極
4 1/4波長版
10 基板
11 第1の絶縁層
13 第2の絶縁層
15 第3の絶縁層
17 第4の絶縁層
G1 ゲートライン
G2 リセット信号ライン
G3 リセットコントロールライン
G4 読取コントロールライン
G5 両用データライン
M1 第1のスイッチングトランジスタ
M2 第2のスイッチングトランジスタ
M3 第3のスイッチングトランジスタ
T 増幅トランジスタ
C0 結合コンデンサ
Cst 蓄積容量
T1 第1の段階
T2 第2の段階
R 赤色画素
G 緑色画素
B 青色画素



  1. 半透過半反射表示装置に用いられるタッチ画素駆動回路であって、
    画素電極、透過共用電極、反射共用電極、ゲートライン、リセット信号ライン、リセットコントロールライン、読取コントロールライン、及び両用データラインと、
    その第1の端が前記画素電極に接続され、その第2の端が前記両用データラインに接続され、そのコントロール端が前記ゲートラインに接続された第1のスイッチングトランジスタと、
    その第1の端が前記反射共用電極に接続され、その第2の端が前記リセット信号ラインに接続され、そのコントロール端が前記リセットコントロールラインに接続された第2のスイッチングトランジスタと、
    その第1の端が前記リセット信号ラインに接続され、そのコントロール端が前記反射共用電極に接続された増幅トランジスタと、
    その第1の端が前記増幅トランジスタの第2の端に接続され、その第2の端が前記両用データラインに接続され、そのコントロール端が前記読取コントロールラインに接続された第3のスイッチングトランジスタと、
    その両端がそれぞれ前記反射共用電極及びリセット信号ラインに接続された結合コンデンサと、を備え、
    前記増幅トランジスタがP型トランジスタであることを特徴とする、タッチ画素駆動回路。

  2. 前記第1のスイッチングトランジスタ、第2のスイッチングトランジスタ、増幅トランジスタ及び第3のスイッチングトランジスタが低温ポリシリコン技術によって製造されることを特徴とする、請求項1に記載のタッチ画素駆動回路。

  3. 前記画素電極が、前記透過共用電極及び反射共用電極と絶縁して相互に重なっていることを特徴とする、請求項1又は2に記載のタッチ画素駆動回路。

  4. マトリックス状に配列された複数の画素ユニットを備え、各前記画素ユニットが画素電極と、前記画素電極の下方に配置された透過共用電極及び反射共用電極とを備え、半透過半反射表示装置に用いられるアレイ基板であって、
    前記複数の画素ユニットが表示画素ユニットと、タッチ画素ユニットとを備え、
    各前記タッチ画素ユニットが請求項1に記載のタッチ画素駆動回路を備えることを特徴とする、アレイ基板。

  5. 前記タッチ画素は青色画素であることを特徴とする請求項4に記載のアレイ基板。

  6. 第1〜3の絶縁層を更に備え、
    前記反射共用電極が前記第1の絶縁層に配置され、
    前記反射共用電極に第2の絶縁層が配置され、
    前記第2の絶縁層に前記透過共用電極が配置され、
    前記透過共用電極に第3の絶縁層が配置され、
    前記第3の絶縁層に前記画素電極が配置されたことを特徴とする、請求項4又は5に記載のアレイ基板。

  7. 液晶表示装置であって、請求項4から6の何れか1項に記載のアレイ基板を備えることを特徴とする、液晶表示装置。

  8. 請求項1に記載のタッチ画素駆動回路に用いられるタッチ画素駆動方法であって、
    ゲートラインでオン信号を提供して第1のスイッチングトランジスタをオンにさせ、両用データラインで第1のスイッチングトランジスタによってデータ信号を画素電極に提供し、リセットコントロールラインでオン信号を提供して第2のスイッチングトランジスタをオンにさせ、リセット信号ラインで第2のスイッチングトランジスタによって共用電極電圧を反射共用電極に提供し、読取コントロールラインでオフ信号を提供して第3のスイッチングトランジスタをオフにさせる第1の段階と、
    ゲートラインでオフ信号を提供して第1のスイッチングトランジスタをオフにさせ、リセットコントロールラインでオフ信号を提供して第2のスイッチングトランジスタをオフにさせ、読取コントロールラインでオン信号を提供して第3のスイッチングトランジスタをオンにさせ、反射共用電極で指によるタッチが検知されたときに、反射共用電極の電圧が低下して増幅トランジスタをオンにさせ、前記リセット信号ラインから提供された共用電極電圧を増幅トランジスタによってタッチ信号に拡大し、第3のスイッチングトランジスタによって両用データラインに提供する第2の段階とを備えることを特徴とする、タッチ画素駆動方法。

 

 

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【選択図】図2
シフトレジスタ、表示装置、ゲート駆動回路及び駆動方法を提供する。シフトレジスタは、複数の段のシフトレジスト回路(SR0〜SRn)を含み、第N段のシフトレジスト回路は、プリチャージ回路(1)とプルアップ回路(2)とリセット回路(3)とホールド回路とを含み、ホールド回路には、ゲートが第1の制御信号端子(CK)に接続され、ソースとドレインが互いに接続される第8のトランジスタ(M8)が設置されている。シフトレジストを実現するだけではなく、回路の動作周期を減少して、電圧とドリフト問題を改善し、ソース・ドレインが短絡されたトランジスタで、制御信号によるプルダウンノードに対する制御を実現して、プルダウンノードを第1の制御信号がハイレベルである場合急速にプルアップさせ、第1の制御信号がローレベルである場合にプルダウンの幅が減少して、制御信号による回路に対する制御をさらによく実現できる。
本発明の実施形態は、シフトレジスタ、ゲート駆動回路、アレイ基板及び表示装置を提供し、有効的に出力信号のドリフト現象を改善して、シフトレジスタの出力の安定性を向上させることができる。本発明の実施形態に係るシフトレジスタは、開始信号入力端、第1のクロック信号入力端及び第2のクロック信号入力端を含むシフトレジスタ入力端と、開始信号及び第1のクロック信号に応答するプリチャージ回路と、前記開始信号のアクティブレベル及び前記第1のクロック信号のアクティブレベルに応答する第1の引き上げ回路と、前記第1のクロック信号の非アクティブレベル及び第2のクロック信号のアクティブレベルに応答する引き下げ回路と、第2の引き上げ回路と、シフトレジスタ出力端とを含む。
装置、コンピューティングデバイス、及びコンピュータ可読媒体が、本明細書に記載される。装置は、コンテンツ適応LCDバックライト制御を用いて、複数の画素を処理するロジックを含む。装置は、また、複数の画素を処理する場合に、アナログ電流レベル制御調光を実行するロジックと、画素を処理する場合に、アナログ電流レベル制御調光を線形的に補償するロジックとを含む。
本発明は、ユーザに供給されるビューの品質を最適化するために、レンチキュラーアレイの特定の設計(傾斜角及びピッチ角)を具備するレンチキュラーオートステレオスコピックディスプレイ装置を提供する。特に、本発明は、正方形、又は、略正方形の3Dピクセルを達成するために、ピッチ角及び傾斜角が最適化されることを可能にする。
シフトレジスタの寿命を延長するシフトレジスタユニット、ゲート駆動装置および表示装置を提供する。本発明のシフトレジスタユニットは、そのドレイン電極が第1信号端に接続され、ソース電極が本段の出力ノードに接続され、ゲート電極が第1ノードに接続される第1の薄膜電界効果トランジスタと、そのドレイン電極が第1信号端に接続され、ソース電極がプルアップノードに接続され、ゲート電極が第1ノードに接続される第2の薄膜電界効果トランジスタと、そのドレイン電極が第2信号端に接続され、ソース電極が本段の出力ノードに接続され、ゲート電極が第2ノードに接続される第3の薄膜電界効果トランジスタと、そのドレイン電極が第2信号端に接続され、ソース電極が前記プルアップノードに接続され、ゲート電極が前記第2ノードに接続される第4の薄膜電界効果トランジスタと、前記シフトレジスタユニットがプルダウン段階であるときに、前記第1ノードと第2ノードを交互に高電位状態になるように制御するノード電圧制御モジュールと、を有する。本発明はシフトレジスタの寿命を延長させる。
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